模拟电路里的工艺角的具体涵义是什么

ss:NMOS/PMOS Vth较高,ff:NMOS/PMOS Vth较低；
阈值电压Vth的高低直接影响器件的性能,
同样的条件下,Vth低相应的跨导gm,电流I都会较高：
gm=k*(W/L)(VGS-Vth),
Isat=1/2*k*(W/L)(VGS-Vth)^2
GBW=gm/Cc
……
再问： 请问：工艺角中的slow和fast是指什么的快和慢？这其中的快和慢是由谁决定的？
再答： 工艺角中的slow和fast可以认为就是"速度"的快慢,工艺角一般包含MOS/Resistor/Capacitor/BJT不同器件类型,不同器件快慢的决定因素不同，比如说MOS的快慢一般就是指阈值电压Vth的高低，运放中有GBW=gm/Cc,如果其他条件相同，Vth越低，gm越高，带宽GBW(速度）越大（越快）; 电阻R的快慢一般就是指电阻的方块阻值的大小（fast对应的方块阻值最小，slow对应的方块阻值最大），电容cap的快慢一般就是指单位面积电容的大小（fast对应的单位面积电容最小，slow对应的单位面积电容最大）－－形象地说就象RC时间常数，RC越大，速度也就越慢; ---你可以查看工艺库.lib文件，比较不同corner下的参数差别就知道了