问题描述:
PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?
我的个人理解是:
当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但是这个杂质却因为多了一个电子而带负电,而这个多出来的电子因为还受n区杂质原子正电的影响不能向p方向远去(形成了一个内电场)。从而这个负电结构多了,就形成了负电层,这个负电层与n区的电子相互排斥,当n区杂质原子的吸引力大于负电层的排斥力,耗尽区继续增大,增大后负电层排斥电子的力就会也跟着增大,直至和吸引力相等,耗尽区就稳定了。
这个内电场其实就是这个负电层形成的基础。而这个负电层才是阻止多子扩散的关键。
不知我的理解和猜测对不对。
我的个人理解是:
当p区耗尽区的空穴被填充,这个三价杂质和硅形成的稳定结构,但是这个杂质却因为多了一个电子而带负电,而这个多出来的电子因为还受n区杂质原子正电的影响不能向p方向远去(形成了一个内电场)。从而这个负电结构多了,就形成了负电层,这个负电层与n区的电子相互排斥,当n区杂质原子的吸引力大于负电层的排斥力,耗尽区继续增大,增大后负电层排斥电子的力就会也跟着增大,直至和吸引力相等,耗尽区就稳定了。
这个内电场其实就是这个负电层形成的基础。而这个负电层才是阻止多子扩散的关键。
不知我的理解和猜测对不对。
问题解答:
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