超纯硅的制备方法,其特征在于,通过以下工序由金属硅制备超纯硅：A.将金属硅粉碎为细颗粒；B.将硅颗粒装入高频感应炉的坩埚内加热,通入氧气使硅中的杂质被氧化成氧化物；C.将硅颗粒装入搪玻璃反应釜内,加入盐酸并加热,使硅中的杂质反应成为氯化物,滤出反应液,通入氮气把硅颗粒水份吹干；D.将硅颗粒装入高频感应电炉的坩埚内加热,在一定的温度范围内通入氯气,使硅中的杂质进一步生成氯化物,停止通氯后使硅熔融直至更高的温度；E.将硅熔体浇入预先放置有脱模剂的,有高级绝热效能的方斗形铸模内,缓慢地冷却以实现中间凝固,达到把杂质排除在坩埚内壁与内容硅间的周边,冷却脱模并清理后,获得铸块制品.F.将硅熔体或硅颗粒装入卧式多段式管式炉内,开启悬挂于钢轨下面嵌套在炉管径向外周,可沿炉管轴向方向移动的高频感应线圈,在开始中的一端朝轴向的另一端方向移动,即可把硅熔液中的杂质赶向炉管端头,把浓集杂质的一短炉管及内容硅取下后,装回端轴,把高频感应线圈调到开始的一端,重复上述操作趋赶杂质,又去掉浓集杂质的炉管小段.
SiO2+2C == 2CO+Si 含杂质
Si+2Cl2 == SiCl4
SiCl4+2H2== 4HCl+ Si 超纯硅
