问题描述：
制造半导体元件时,常需要精确地测定硅片上的二氧化硅薄膜的厚度,这时可以把二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,使它成为劈尖,利用等厚度干涉条文测处其厚度.如图,已知Si的折射率为3.42,SiO2的折射率为1.5.用氦氖激光（波长=632.8nm）垂直照射,在反光中观察到在腐蚀区域有8条暗纹,求SiO2薄膜的厚度.
问题解答：
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