LED结温：LED的基本结构是一个半导体的P—N结.实验指出,当电流流过LED元件时,P—N结的温度将上升,严格意义上说,就把P—N结区的温度定义为LED的结温.通常由于元件芯片均具有很小的尺寸,因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温.
LED结温产生的原因是什么?
在LED工作时,可存在以下五种情况促使结温不同程度的上升：
a、元件不良的电极结构,视窗层衬底或结区的材料以及导电银胶等均存在一定的电阻值,这些电阻相互垒加,构成LED元件的串联电阻.当电流流过P—N结时,同时也会流过这些电阻,从而产生焦耳热,引致芯片温度或结温的升高.
b、由于P—N结不可能极端完美,元件的注人效率不会达到100%,也即是说,在LED工作时除P区向N区注入电荷(空穴)外,N区也会向P区注人电荷 (电子),一般情况下,后一类的电荷注人不会产生光电效应,而以发热的形式消耗掉了.即使有用的那部分注入电荷,也不会全部变成光,有一部分与结区的杂质或缺陷相结合,最终也会变成热.
c、实践证明,出光效率的限制是导致LED结温升高的主要原因.目前,先进的材料生长与元件制造工艺已能使LED极大多数输入电能转换成光辐射能,然而由于LED芯片材料与周围介质相比,具有大得多的折射系数,致使芯片内部产生的极大部分光子(>90%)无法顺利地溢出介面,而在芯片与介质介面产生全反射,返回芯片内部并通过多次内部反射最终被芯片材料或衬底吸收,并以晶格振动的形式变成热,促使结温升高.
d、显然,LED元件的热散失能力是决定结温高低的又一个关键条件.散热能力强时,结温下降,反之,散热能力差时结温将上升.由于环氧胶是低热导材料,因此P—N结处产生的热量很难通过透明环氧向上散发到环境中去,大部分热量通过衬底、银浆、管壳、环氧粘接层,PCB与热沉向下发散.显然,相关材料的导热能力将直接影响元件的热散失效率.一个普通型的LED,从P—N结区到环境温度的总热阻在300到 600℃/w之间,对于一个具有良好结构的功率型LED元件,其总热阻约为15到30℃ /w.巨大的热阻差异表明普通型LED元件只能在很小的输入功率条件下,才能正常地工作,而功率型元件的耗散功率可大到瓦级甚至更高.
