简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.（ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流；反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.）
多子与少子是相对概念.
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”；空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.