问题描述:
关于光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命的问题
1,为什么样品周围和电极附近不要受光照?
2,样品电阻率不均匀会造成什么结果?
3,样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
比较了解这些的前辈们希望你能帮我解答一下,谢谢.
1,为什么样品周围和电极附近不要受光照?
2,样品电阻率不均匀会造成什么结果?
3,样品电流大小会对测试结果带来什么影响?
比较了解这些的前辈们希望你能帮我解答一下,谢谢.
问题解答:
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