在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?

答：1) 对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；
2) 对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；
3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),
声学波散射：τs∝T^(-3/2),
光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]
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