请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理

问题描述:

请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理
,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.
大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
1个回答 分类:物理 2014-11-11

问题解答:

我来补答
我个人认为从禁带宽度论述比较合理.就上述三种材料来讲,Si的带宽为1.12eV属窄禁带半导体,GaAs和SiC为宽紧带半导体材料,材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定,所以应从能带论入手.由于禁带宽度的不同,它们的工作极限工作温度有所差异,吸收光的范围也有所差异.掺杂原理则一般均为替位式掺杂.至于应用领域不可一言以蔽之.
 
 
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