请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理

我个人认为从禁带宽度论述比较合理.就上述三种材料来讲,Si的带宽为1.12eV属窄禁带半导体,GaAs和SiC为宽紧带半导体材料,材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定,所以应从能带论入手.由于禁带宽度的不同,它们的工作极限工作温度有所差异,吸收光的范围也有所差异.掺杂原理则一般均为替位式掺杂.至于应用领域不可一言以蔽之.