为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.

首先空穴不是真实存在的,是人们虚拟.当一个电子有价带跃迁到导带的同时,价带中就产生了一个空量子态,人们虚拟为空穴.且空穴（空位）也不能移动的,只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上,这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位,其效果就好像空位在移动.
下面来回答您的问题：
P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴,但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）.具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键,而有个共价键是空的.如果有一个电子填充这个“空”位,因为此时的硼原子带负电,它的能量必须比价电子的能量高.但是,占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带,它的能量远小于导带底能量.当硼原子引入的空位被填满时,其他价电子的位置将变空.可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴.空位的不断被填充,不断有新的空位产生,我们可以看出空位在移动,因此多子为空穴.您提到的负离子即填充空位的负离子,仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子.整个过程就是这样的,在价带产生了空穴,而不再导带产生电子.
N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子,但并不产生价带空穴.（N表示带负电的电子）
再问： 我也是这么想的，但是疑惑的是空穴在移动的同时，相当于负离子也在移动（负离子中的电子不会也跃迁到其它空穴），空穴电流与负离子移动方向相反，这样的话电流大小是不是叠加了(空穴+负离子)。
再答： 也可以这样理 P型半导体的产生是因为掺杂的硼发生了电离。电离只产生了空穴，并未产生电子。（N型产生了电子，并未产生空穴）便于理解，我们可以认为P型半导体内部导电粒子是空穴。 而电流的大小，按照电流的定义来计算。在N型材料里导电粒子为电子，电子流形成电流；在P型材料里导电粒子为“空穴”空穴流形成电流。因此P型材料中电流的大小不是叠加值。