MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin,但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的. 场控器件静态时几乎不需输入电流.但在开关过程中需对输入电容充放电,仍需一定的驱动功率.开关频率越高,所需要的驱动功率越大.
2.4动态性能的改进 在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外,还必须掌握在应用中如何保护器件,不使器件在瞬态变化中受损害.当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合,又加上因大面积带来的大电容,所以其dv/dt能力是较为脆弱的.对di/dt来说,它还存在一个导通区的扩展问题,所以也带来相当严格的限制.
功率MOSFET的情况有很大的不同.它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量.但尽管如此,它也存在动态性能的限制.这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解. 图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路.除了器件的几乎每一部分存在电容以外,还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管.同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管.（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）.这几个方面,是研究MOSFET动态特性很重要的因素.
