电流能限定在某个范围.
rectifier diode 整流二极管
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件.通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子.其结构所示.P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒.外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态.若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流（称反向漏电流）,称为反向阻断状态.整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示.整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造.硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好.通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）.这种器件的结面积较大,能通过较大电流（可达上千安）,但工作频率不高,一般在几十千赫以下.整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用.
