MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.
三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流大,驱动复杂.
场效应管与三级管的比较：
1）场效应管是电压控制元件,而三级管是电流控制元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电,所以称为单极性器件,而三级管既有多子,也有少子导电,称之为双极性器件
3）场效应管灵活性比三级管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路.
MOSFET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D；由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,所以,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压).FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数来体现.
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态.在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照.
