半导体物理中 晶格弛豫 弛豫 动量弛豫有何分别?需要从半导体物理角度解释

弛豫就是从一种状态逐渐过渡到另一种状态的变化过程.晶格弛豫就是晶格受到某种作用而逐渐发生变化的一种过程.半导体载流子的弛豫有动量弛豫和能量弛豫：动量弛豫是载流子在电场作用下,其动量发生变化的过程,能量弛豫是载流子在电场作用下,其能量发生变化的过程,一般动量弛豫时间要比能量弛豫时间短得多,这也就是产生速度过冲的原因.