半导体二极管的结构
半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类.
点接触型二极管是将一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块半导体（如锗）熔接后做出相应的电极引线,再外加管壳密封而成.点接触型二极管的极间电容很小,不能承受高的反向电压和大的电流,往往用来作小电流整流、高频检波及开关管.
面接触型二极管的PN结面积大,可承受较大的电流,但极间电容也大.这类器件适用于整流,而不宜用于高频电路中.
发光二极管（LED）是用半导体材料制作的正向偏置的PN结二极管.其发光机理是当在PN结两端注入正向电流时,注入的非平衡载流子（电子－空穴对）在扩散过程中复合发光,这种发射过程主要对应光的自发发射过程.按光输出的位置不同,发光二极管可分为面发射型和边发射型.我们最常用的LED是 InGaAsP/InP双异质结边发光二极管.
发光二极管的发光原理同样可以用PN结的能带结构来解释.制作半导体发光二极管的材料是重掺杂的,热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子,P区有较多的迁移率较低的空穴.由于PN结阻挡层的限制,在常态下,二者不能发生自然复合.,而当给PN结加以正向电压时,沟区导带中的电子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧.于是在PN结附近稍偏于P区一边的地方,处于高能态的电子与空穴相遇时,便产生发光复合.这种发光复合所发出的光属于自发辐射,辐射光的波长决定于材料的禁带宽度Eg,即
λ＝1.24μm•;eV/Eg
