电容,用符号C表示.电容有存储电荷的作用,由于它的这个特性,决定了它有通交流阻直流,通高频阻低频的作用.因此常用作隔直,滤波,耦合.电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压.容量显示电容器的储存能力,有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位.由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体,所以当电压升高到一定程度时,会击穿这层绝缘.这个极限电压就是电容器的耐压值.电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种,在一般情况下,有极性电容的正负极不可接反.按制作材料分,电容器有铝电解电容（成本低,容量大,耐热性差,稳定性差）、钽电解电容（成本高,精度高,体积小,漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种.按容量是否可变分为固定电容和可调电容.
电感器,通俗的说就是线圈.它的基本的性质是通直流,阻交流,与电容器的性质恰恰相反.衡量电感器的最基本指标是电感量.以亨利（H）为单位,还有毫亨,微亨等.电感器可分为磁芯电感（电感量大,常用在滤波电路）和空心电感（电感量小,常用于高频电路）两种.
晶体管,最常用的有三极管和二极管两种.它对信号有放大作用.三极管以符号BG（旧）或（T）表示,二极管以D表示.按制作材料分,晶体管可分为锗管和硅管两种.按极性分,三极管有PNP和NPN两种,而二极管有P型和N型之分.多数国产管用xxx表示,其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31,第一位3代表三极管,2代表二极管.第二位代表材料和极性.A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料.第三位表示用途,其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管.最后面的数字是产品的序号,序号不同,各种指标略有差异.注意,二极管同三极管第二位意义基本相同,而第三位则含义不同.对于二极管来说,第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管.上面举的例子,具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管.对于进口的三极管来说,就各有不同,要在实际使用过程中注意积累资料.常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列,欧洲的2Sx系列,在该系列中,第三位含义同国产管的第三位基本相同.
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路.它的特点是输入阻抗低,输出阻抗高,电流放大倍数小于1,不易与前级匹配.
2、————共发射极放大电路.它的特点是电流放大倍数较大,功率放大倍数更大,但在强信号是失真较大.
3、————共集电极放大电路.它的特点是输入阻抗高,输出阻抗低,常用于阻抗匹配电路,增益最小.
三极管,三极管能够放大信号必须具备一定的外部条件,即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏）,集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）.三极管的主要应用分为两个方面.一是工作在饱和与截止状态,用作晶体管开关；二是工作在放大状态,用作放大器.放大区:此时IC=?IB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正偏,集电结反偏.放大状态 ：uB＞0,发射结正偏,集电结反偏,iC=βiB.
